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MT29C8G96M
MT29C8G96M

MT29C8G96MAYBADJV-5 WT

存储器类型:闪存 - nand,移动 lpdram

存储容量:8g(1g x 8)(nand),4g(128m x 32)(lpdram)

速度:200mhz

接口:并联

电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v

工作温度:-25°c ~ 85°c(ta)

封装/外壳:168-vfbga

封装/外壳:168-VFBGA(12x12)

包装:散装

每包的数量:1

烧录状态,需要烧录,无需烧录,不支持烧录,空白:需要烧录

程序大小:8Gb


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